《产业》研调:明年DRAM产值微增 H2扭『niu』转跌价“jia”

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研调机构TrendForce预估2022年DRAM产值达915亿美元,微增年增0.3%,预期明年DRAM平均销售单价将年减15%,价格下滑在上半年较为明显;下半年起将受惠于DDR5的渗透率提升与旺季需求效应带动,明年下半年可望扭转跌价态势。

根据TrendForce研究显示,2022年的DRAM供给位元成长率约18.6%,然而由于目前买方库存水位已偏高,加上2022年需求位元成长率仅17.1%,明年DRAM产业将由供不应求转至供过于求。尽管DRAM价格将因供过于求而出现下滑,但在寡占市场型态下,整体产值不会大跌,预估2022年的DRAM总产值将达915.4亿美元,仍年增0.3%。

TrendForce以明年各季度的供过于求比例作为预测基础,预期DRAM平均销售单价将年减15%,并预估价格下滑幅度在明年上半年较为明显;预料明年下半年起将受惠于DDR5的渗透率提升与旺季需求效应带动,均价跌幅将收敛,不排除有持平或涨价的可能性。

NAND Flash方面,2022年供给位元年增长率约31.8%;需求位元年成长幅度为30.8%,故明年NAND Flash价格也将受供过于求影响而有所下滑。由于NAND Flash属完全竞争市场,均价下滑的幅度较DRAM更加明显,然NAND Flash在层数结构的堆叠持续推进,故在供给位元成长维持在30%以上,预估2022年NAND Flash总产值达741.9亿美元、年增7.4%。

同样以明年各季度的供过于求比例作为预测基础,推估2022年平均销售单价将年减18.0%,价格下滑幅度也是在明年上半年度较为明显,明年下半年起将受惠于旺季需求效应带动,均价跌幅较为收敛,或有单季价格持平的可能性。

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TrendForce指出,整体而言,DRAM与NAND Flash由于两者竞争型态的不同,DRAM基本上在产能扩张上较有纪律,故长期均价的波动性较小,同时20奈米以下制程微缩已经逐渐达到物理极限,使得年度位元成长增幅有限。

相对而言,NAND Flash在产能扩张的规划较不稳定,加上产品的层数能持续提升,故长期均价的波动性较大。

从资本支出来看,DRAM方面,近年来其整体资本支出对营收占比逐渐升高有两大原因,首先,由于DRAM的制程微缩已经逐渐面临物理极限,在20奈米制程以后,除了美光1alpha奈米造就近30%的单晶圆位元成长外,其他从1X奈米转至1Y奈米、或者1Y奈米转至1Z奈米制程,成长已经收敛至15%以内。2022年三星与SK海力士的最先进制程将导入关键机台EUV,由于该机台的生产交期长且造价高昂,使得三大原厂纷纷提前提拨大笔的资本支出,以因应EUV的前置订单。

其次,DRAM已形成寡占市场型态,即使出现均价下跌周期,也因为供应商的生产秩序,销售均价难以跌破总生产成本,DRAM原厂能够获利。由于制程转进不易,除三大原厂以外,市占较小的南亚科(2408)、华邦电(2344)皆有扩产计画,成为DRAM市场资本支出对营收占比持续升高的另一大原因。

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